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Si5519DU
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
1
T J = 150 °C
0.10
0.0 8
0.06
I D = 5 A
T A = 125 °C
0.1
0.01
0.001
T J = 25 °C
0.04
0.02
0.00
T A = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
1
2
3
4
5
1.6
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
30
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
1.4
I D = 250 μ A
25
20
1.2
15
1.0
10
0. 8
5
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
Limited by R DS(on) *
10 ms
Time (s)
Single Pulse Power
100 ms
1
1s
10 s
0.1
0.01
0.001
T A = 25 °C
Single P u lse
BVDSS Limited
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 74406
S-81449-Rev. B, 23-Jun-08
www.vishay.com
5
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